该设备相较于同类设备有四大特色
1. 搭载两种透镜模式的高性能SEM镜筒
HR模式下可实现高分辨观察（半内透镜）
FF模式下可实现高精度加工终点检测（Timesharing Mode）
2. 高通量加工
可通过高电流密度FIB实现快速加工（最大束流100nA）
用户可根据自身需求设定加工步骤，设备按流程自动执行
3. Micro Sampling System*3
运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应
控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品
4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3
采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工
使用Ar离子研磨去除镓污染
项目 |
标称 |
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FIB |
二次电子像分辨率 |
4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
加速电压 |
0.5 kV – 30 kV |
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探针电流范围 |
0.05 pA – 100 nA |
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离子源 |
Ga液体金属离子源 |
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SEM |
二次电子像分辨率 |
1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV |
加速电压 |
0.1 kV – 30 kV |
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探针电流范围 |
5 pA – 10 nA |
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电子枪 |
冷场场发射电子枪 |
样品表面平整，粗糙度好，导电性良好，无毒无挥发性。不满足样品要求的样品需联系管理员。
14nm工艺的芯片截面SEM观察
Bonding线的截面切割观察
在2kV低加速电压下进行FIB加工时，观察Ga+离子照射造成的样品损伤（红色箭头）（图a）。然后，在1kV低加速电压下进行氩离子研磨，消除FIB加工产生的损伤层后，可以清晰观察到晶格像。
地址：
陕西省西安市西咸新区西部科技创新港躬行楼
邮箱：
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